隨著半導體製程邁向 2nm 以下節點,晶圓的初始平整度與表面質量變得前所未有的關鍵。傳統研磨工藝往往會在矽片表面留下顯著的應力集中區與微裂紋。Nano-Grind 採用的延性域磨削 (Ductile-Mode Grinding) 技術,通過精確控制磨粒的切削深度低於臨界值,使材料以塑性流動而非脆性斷裂的方式去除。
Grinding of Semiconductor Wafers: Achieving Sub-Nanometer Surface Integrity
Abstract: 本研究探討了在半導體晶圓研磨過程中,如何在保持極致平整度的同時減少表面損傷層。通過優化進給速率與砂輪轉速比,我們成功將亞表面損傷 (SSD) 深度控制在 2μm 以內,這對於後續的 CMP 工藝具有重大意義。
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#SubsurfaceDamage
#DuctileMode